Dr. Patrick Amsalem

Dr. Amsalem erforscht die elektronischen Eigenschaften und Energieniveauausrichtung an Grenzflächen zwischen verschiedenen Materialklassen — insbesondere zwischen organischen Halbleitern, 2D-Materialien (wie Molybdändisulfid), Perowskiten und Metallen. Seine aktuelle Arbeit konzentriert sich darauf, wie sich diese Grenzflächen unter Licht, Dotierung oder mechanischer Behandlung verändern und wie man sie gezielt für bessere Leistung einstellen kann. Für die Industrie relevant ist dies vor allem für die Entwicklung von Solarzellen, Feldeffekt-Transistoren, Sensoren und optoelektronischen Geräten — Anwendungen, bei denen die richtige Energieniveauabstimmung zwischen Materialschichten über Effizienz und Funktionalität entscheidet. Amsalem nutzt dabei hochauflösende Spektroskopie-Techniken (Photoelektronenspektroskopie, Röntgen- und UV-Spektroskopie) sowie Oberflächenanalytik, um diese Prozesse auf atomarer Ebene sichtbar zu machen und zu verstehen.

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• Die Energieniveau Anpassungen und elektronischen Eigenschaften schwach wechselwirkender Grenzflächen im Kontext organischer Halbleiter

  Quelle ↗

  Förderer: DFG Eigene Stelle (Sachbeihilfe) Zeitraum: 09/2014 - 12/2017 Projektleitung: Dr. Patrick Amsalem

• Direct determination of monolayer MoS₂and WSe₂exciton binding energies on insulating and metallic substrates

  2018

  2D Materials · DOI

  Understanding the excitonic nature of excited states in two-dimensional (2D) transition-metal dichalcogenides (TMDCs) is of key importance to make use of their optical and charge transport properties in optoelectronic applications. We contribute to this by the direct experimental determination of the exciton binding energy (Eb,exc) of monolayer MoS2 and WSe2 on two fundamentally different substrates, i.e. the insulator sapphire and the metal gold. By combining angle-resolved direct and inverse photoelectron spectroscopy we measure the electronic band gap (Eg), and by reflectance measurements the optical excitonic band gap (Eexc). The difference of these two energies is Eb,exc. The values of Eg and Eb,exc are 2.11 eV and 240 meV for MoS2 on sapphire, and 1.89 eV and 240 meV for WSe2 on sapphire. On Au Eb,exc is decreased to 90 meV and 140 meV for MoS2 and WSe2, respectively. The significant Eb,exc reduction is primarily due to a reduction of Eg resulting from enhanced screening by the metal, while Eexc is barely decreased for the metal support. Energy level diagrams determined at the K-point of the 2D TMDCs Brillouin zone show that MoS2 has more p-type character on Au as compared to sapphire, while WSe2 appears close to intrinsic on both. These results demonstrate that the impact of the dielectric environment of 2D TMDCs is more pronounced for individual charge carriers than for a correlated electron–hole pair, i.e. the exciton. A proper dielectric surrounding design for such 2D semiconductors can therefore be used to facilitate superior optoelectronic device function.

• High Fill Factor and Open Circuit Voltage in Organic Photovoltaic Cells with Diindenoperylene as Donor Material

  2010

  Advanced Functional Materials