Dr. Nakib Haider Protik erforscht die Transportphysik in Systemen aus kondensierter Materie — also wie Teilchen sich unter äußeren Feldern bewegen und welche fundamentalen Wechselwirkungen dabei wirken. Sein Fokus liegt auf dem Verständnis komplexer Dynamiken, die für die Materialwissenschaft und Halbleiterentwicklung relevant sind. Die Erkenntnisse ermöglichen es, Materialeigenschaften gezielter vorherzusagen und neue Materialien mit maßgeschneiderten Transporteigenschaften zu entwickeln — ein Ansatz mit Anwendungen in der Elektronik, Energiespeicherung und Quantentechnologie.
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Dr. Nakib Haider Protik
HU-FIS-Profil ↗Die Transportphysik ist ein Wissenschaftsbereich, der sich mit dem Verständnis der komplexen Dynamik von Teilchen unter dem Einfluss eines äußeren Feldes befasst. In Systemen aus kondensierter Materie gibt die Untersuchung der Transportphänomene Aufschluss über die verschiedenen konkurrierenden fundamentalen Wechselwirkungen zwischen den Teilchen, aus denen sie bestehen. Über diese Wechselwirkungen tauschen die Teilchen Energie und Impulse aus und entwickeln infolgedessen endliche Lebensdauern. Transportmessungen und -berechnungen sind daher wichtige Sonden zur Untersuchung der Natur der verschiedenen Quasiteilchen und kollektiven Anregungen in Systemen aus kondensierter Materie.Ein tiefes Verständnis der Transportphysik ist auch die Voraussetzung für die Entwicklung von Quantenmaterialien für verschiedene Anwendungen wie Thermoelektrik, Wärmemanagement und Fotovoltaik. Um unser Verständnis von Transportphänomenen zu vertiefen, schlage ich hier vor, drei Aspekte dieses Themas zu bearbeiten, die bisher noch nicht gründlich ab initio (d. h. parameterfrei) untersucht wurden. Im Rahmen dieses Projekts werde ich zum ersten Mal die erforderlichen Berechnungswerkzeuge entwickeln und den Coulomb-Widerstand, den Magnetodrag und das Elektron-Phonon-Fluid untersuchen - drei Transportphänomene in kondensierter Materie, die zusammen zu einer neuen Physik führen können. Meine Arbeit wird die Bedingungen klären, unter denen diese Phänomene in realen Materialien auftreten.Ich stelle mir vor, dass die im Rahmen dieses Projekts gewonnenen Erkenntnisse eine noch nie dagewesene Kontrolle über die Eigenschaften von Materialien ermöglichen und ein neues Forschungsgebiet eröffnen werden, das ich Dragonics nenne. Im Verlauf der hier vorgeschlagenen Arbeit werde ich eine übergreifende wissenschaftliche Frage beantworten:Was veranlasst bestimmte Materialien, starke Widerstandsphänomene zu zeigen?Dieses Projekt hat eine Laufzeit von 72 Monaten und verfolgt 4 Ziele. Durch die Entwicklung der erforderlichen Berechnungswerkzeuge und die Durchführung von Berechnungen an realen Materialien werden wir1. verstehen, unter welchen Bedingungen die starken Elektron-Phonon-Coulomb-Widerstandseffekte auftreten;2. verstehen, unter welchen Bedingungen die starken Magnetowiderstandseffekte auftreten3. verstehen, unter welchen Bedingungen der Elektron-Phonon-Flüssigkeitstransport auftritt; und4. Bereitstellung einer freien/offenen Ab-Initio-Transport-Software für die Forschungsgemeinschaft.Unsere Arbeit wird eine noch nie dagewesene Kontrolle über die Transporteigenschaften von Materialien ermöglichen und sich möglicherweise auf Anwendungen zur Energiegewinnung und zum Wärmemanagement auswirken sowie den Übergang der Gesellschaft zu sauberer Energie unterstützen.
Physical review. B./Physical review. B · DOI
It has been well established that (i) the thermopower of semiconductors can be enhanced through a phenomenon known as the drag effect, and (ii) the drag enhancement involves only low-frequency acoustic phonons and benefits from low electron densities and low temperatures. Using first-principles calculations we show that large drag enhancements to the thermopower are possible at high carrier density even at room temperature and arise from high-frequency acoustic phonons. A fascinating example is cubic boron arsenide (BAs) for which the calculated room temperature drag enhancement of the thermopower exceeds an order of magnitude at a high hole density of ${10}^{21}\phantom{\rule{0.16em}{0ex}}\mathrm{c}{\mathrm{m}}^{\ensuremath{-}3}$. This remarkable behavior stems from the simultaneously weak phonon-phonon and phonon-hole scattering of the high-frequency phonons in BAs that become drag active at high carrier densities through electron-phonon interactions. This work advances our understanding of coupled electron-phonon nanoscale transport and introduces an unexpected paradigm for achieving large thermopowers.
Zenodo (CERN European Organization for Nuclear Research) · DOI
Materials Today Physics · DOI
In this work, we exemplify on a bulk silicon sample that Raman thermometry is capable of phonon mean free path (PMFP) spectroscopy. Our experimental approach is similar to the variation of different characteristic length scales l c during thermal reflectance measurements in the time or frequency domain (TDTR and FDTR) and transient thermal grating (TTG) spectroscopy. In place of l c , we vary the laser focus spot size ( w e ) and the light penetration depth ( h α ) during one-laser Raman thermometry (1LRT) measurements, enabling control over the size of the temperature probe volume V . For our largest w e values, the derived effective thermal conductivities κ eff converge towards the bulk thermal conductivity κ bulk for silicon, which we confirm by two-laser Raman thermometry and ab initio theory. However, towards smaller w e values, we observe a pronounced increase for the κ eff values, which amounts up to a factor of 5.3 at 293 K and even 8.3 at 200 K. We mainly assign this phenomenon to quasi-ballistic phonon transport and discuss any prominent impact of other factors. As a result, we can compare our measured κ eff ( w e ) trends with the thermal accumulation function κ cum and its dependence on the phonon mean free path l ph , which we derive from ab initio solutions of the linearized phonon Boltzmann transport equation (BTE). Since the variation of w e can be experimentally cumbersome, we also suggest varying h α ( λ ) via the applied Raman laser wavelength λ during 1LRT. In this regard, we present proof-of-principle 1LRT measurements, yielding a step-like κ eff ( λ ) trend for four different λ values, which we also interpret in terms of quasi-ballistic phonon transport. Interestingly, we find that our κ eff ( w e ) scaling is opposite to previous TTG results, which can be explained by the actual physical quantity probed. For small w e or h α values, 1LRT mimics the situation of a local and/or surfacic heat source in a large matrix, which enables probing of real local κ values that exceed κ bulk . From a theoretical point of view, this was first predicted by Chiloyan et al., (2020), who calculated κ eff ( w e ) for different initial phonon distributions in good agreement with our data. To show the generality of our findings, we probed κ eff ( w e ) not only for bulk silicon, but also germanium, which is in-line with our previous findings on GaN, see Elhajhasan et al., (2023). Our results shall seed future PMFP spectroscopy based on 1LRT, which can directly be benchmarked against state-of-art theory to probe the effect of, e.g., any nano-structuring by comparison of κ cum trends and not only κ values, aiming to test our understanding of the intricate phonon transport physics.