PD Dr. Sylke Blumstengel

Profil

Zusammenfassung

Sylke Blumstengel entwickelt und charakterisiert Hybrid-Halbleiterstrukturen aus anorganischen und organischen Materialien, um deren elektronische und optische Eigenschaften gezielt zu steuern. Sie beherrscht die Herstellung dieser Strukturen durch Molekularstrahlepitaxie und Vakuumtechniken sowie die spektroskopische Analyse von Energietransfer und Ladungstrennung an den Grenzflächen. Diese Expertise ermöglicht die Optimierung von Optoelektronik-Bauteilen wie Lasern, Leuchtdioden und Photodetektoren.

Skills

Name

PD Dr. Sylke Blumstengel

Titel

PD Dr.

Fakultät

Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät

Institut

Institut für Physik

Arbeitsgruppe

Experimentelle Physik, Hybride Bauelemente

E-Mail

🔒 nur für eingeloggte sichtbarAnmelden

Telefon

🔒 nur für eingeloggte sichtbarAnmelden

HU-FIS-Profil

Quelle ↗

Zuletzt gescrapt

28.6.2026, 01:03:24

• SFB 951/1: HIOS - Electronic coupling in inorganic/organic semiconductor hybrid structures for opto-electronic function (TP B 3)

  Quelle ↗
  409-01-A · Algorithmik und Komplexität

  Förderer: DFG Sonderforschungsbereich Zeitraum: 07/2011 - 06/2015 Projektleitung: PD Dr. Sylke Blumstengel

• SFB 951/2: HIOS – Elektronische Kopplung in anorganisch/organischen Halbleiterhybridstrukturen für opto-elektronische Funktionen (TP B03)

  Quelle ↗

  Förderer: DFG Sonderforschungsbereich Zeitraum: 07/2015 - 06/2019 Projektleitung: PD Dr. Sylke Blumstengel

• SFB 951/3: Elektronische Kopplung in anorganisch/organischen Halbleiterhybridstrukturen für opto-elektronische Funktionen (TP B03)

  Quelle ↗

  Förderer: DFG Sonderforschungsbereich Zeitraum: 07/2019 - 06/2023 Projektleitung: PD Dr. Sylke Blumstengel

🔒 Das System hat 177 mögliche Industrie-Partner gefunden — Firmen, Scores und Begründungen sind nur für eingeloggte Nutzer:innen sichtbar. Anmelden

• Polaron-pair generation in poly(phenylene vinylenes)

  1992

  Physical review. B, Condensed matter · 349 Zitationen · DOI

  The effects of weak magnetic fields on the photoconductivity of poly(p-phenylene vinylene) (PPV) and two derivatives, poly(1,4-phenylene-1,2-dimethoxyphenyl vinylene) (DMOP-PPV) and poly(2-phenyl-1,4-phenylene vinylene) (PPPV), were observed within the temperature range 130--350 K. These effects are attributed to the formation of interchain pairs involving a negative polaron and a positive polaron. A polaron pair is formed as a result of interchain electron transfer from a molecular exciton. The lifetime of a pair is estimated to be within the range of ${10}^{\mathrm{\ensuremath{-}}8--}$${10}^{\mathrm{\ensuremath{-}}9}$ s. Thermal dissociation of a polaron pair produces free charge carriers, and recombination of the pair regenerates a singlet or triplet exciton on a single conjugated segment of a chain.

• Visible band-gap ZnCdO heterostructures grown by molecular beam epitaxy

  2006

  Applied Physics Letters · 158 Zitationen · DOI

  Single-phase ZnCdO alloys with a band gap extending from the violet to yellow spectral range are fabricated by molecular beam epitaxy using extremely low growth temperatures in conjunction with O-rich growth conditions. The Cd concentration can be systematically adjusted via the Cd∕Zn beam pressure ratio. Despite growth temperatures as low as 150°C, layer-by-layer growth is accomplished allowing for the preparation of ZnCdO∕ZnO quantum well structures. Both epilayers and quantum wells exhibit strong band-gap-related emission at room temperature in the whole composition range.

• Growth of high-quality ZnMgO epilayers and ZnO∕ZnMgO quantum well structures by radical-source molecular-beam epitaxy on sapphire

  2005

  Applied Physics Letters · 133 Zitationen · DOI

  We report on a specific growth procedure combining low-temperature growth of ZnMgO and postgrowth annealing at intermediate temperatures. Despite the large lattice misfit induced by the sapphire substrate, layer-by-layer growth is accomplished up to the phase-separation limit found at a c-lattice constant of 0.5136nm and Mg mole fraction of 0.40. The procedure allows us to grow quantum wells with atomically smooth interfaces in a wide range of structural designs exhibiting prominent emission features up to room temperature.

• Freie Universität Berlin

  SFB 951/3: Elektronische Kopplung in anorganisch/organischen Halbleiterhybridstrukturen für opto-elektronische Funktionen (TP B03)

  university

• Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft

  SFB 951/3: Elektronische Kopplung in anorganisch/organischen Halbleiterhybridstrukturen für opto-elektronische Funktionen (TP B03)

  other

• Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie

  SFB 951/3: Elektronische Kopplung in anorganisch/organischen Halbleiterhybridstrukturen für opto-elektronische Funktionen (TP B03)

  other