Dr. rer. nat. Fariba Hatami

Dr. Hatami erforscht die monolithische Integration von III-V-Halbleitern (Galliumphosphid, Indiumphosphid, Galliumarsenid) auf Silizium-Nanotip-Substraten mittels Nanoheteroepitaxie und Molekularstrahlepitaxie. Ihr aktueller Fokus liegt auf der Entwicklung skalierbarer Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Nanostrukturen mit kontrollierten optischen und elektronischen Eigenschaften für integrierte Photonik und Quantenanwendungen. Die Arbeiten adressieren die Herausforderung, hochwertige III-V-Materialien direkt auf CMOS-kompatiblen Silizium-Wafern zu züchten, um optoelektronische Bauelemente wie Photonische Kristalle, Quantenemitter und nichtlinear-optische Komponenten zu realisieren. Dies ermöglicht Anwendungen in der Silizium-Photonik, Quantennetzwerken und integrierten Photonischen Schaltkreisen.

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• GRAPHENE-BASED SINGLE-PHOTON NONLINEAR OPTICAL DEVICES

  Quelle ↗

  Zeitraum: 01/2014 - 12/2017 Projektleitung: Dr. rer. nat. Fariba Hatami

• HOFUS

  Quelle ↗

  Förderer: Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt Zeitraum: 11/2014 - 11/2016 Projektleitung: Dr. rer. nat. Fariba Hatami

• Monolayer semiconductor nanocavity lasers with ultralow thresholds

  2015

  Nature · DOI

• Deterministic Coupling of a Single Nitrogen Vacancy Center to a Photonic Crystal Cavity

  2010

  Nano Letters · DOI

  We describe and experimentally demonstrate a technique for deterministic, large coupling between a photonic crystal (PC) nanocavity and single photon emitters. The technique is based on in situ scanning of a PC cavity over a sample and allows the precise positioning of the cavity over a desired emitter with nanoscale resolution. The power of the technique is demonstrated by coupling the PC nanocavity to a single nitrogen vacancy (NV) center in diamond, an emitter system that provides optically accessible electron and nuclear spin qubits.

• Radiative recombination in type-II GaSb/GaAs quantum dots

  1995

  Applied Physics Letters · DOI

  Strained GaSb quantum dots having a staggered band lineup (type II) are formed in a GaAs matrix using molecular beam epitaxy. The dots are growing in a self-organized way on a GaAs(100) surface upon deposition of 1.2 nm GaSb followed by a GaAs cap layer. Plan-view transmission electron microscopy studies reveal well developed rectangular-shaped GaSb islands with a lateral extension of ∼20 nm. Intense photoluminescence (PL) is observed at an energy lower than the GaSb wetting layer luminescence. This line is attributed to radiative recombination of 0D holes located in the GaSb dots and electrons located in the surrounding regions. The GaSb quantum dot PL dominates the spectrum up to high excitation densities and up to room temperature.