Dr. rer. nat. Fariba Hatami

Profil

Zusammenfassung

Dr. Fariba Hatami entwickelt Halbleiter-Nanostrukturen und Photonik-Komponenten für die Lichterzeugung und Lichtkontrolle auf kleinsten Skalen. Ihre Expertise umfasst die Kopplung von Quantenemittern mit optischen Resonatoren, die Herstellung von Quantenpunkten und die Verstärkung nichtlinearer optischer Effekte in integrierten Systemen. Diese Technologien sind relevant für kompakte Lichtquellen, optische Sensoren und photonische Schaltkreise.

Skills

Name

Dr. rer. nat. Fariba Hatami

Titel

Dr. rer. nat.

Fakultät

Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät

Institut

Institut für Physik

Arbeitsgruppe

Experimentelle Physik (Elementaranregungen und Transport in Festkörpern)

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• GRAPHENE-BASED SINGLE-PHOTON NONLINEAR OPTICAL DEVICES

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  Zeitraum: 01/2014 - 12/2017 Projektleitung: Dr. rer. nat. Fariba Hatami

• HOFUS

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  Förderer: Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt Zeitraum: 11/2014 - 11/2016 Projektleitung: Dr. rer. nat. Fariba Hatami

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• Monolayer semiconductor nanocavity lasers with ultralow thresholds

  2015

  Nature · 890 Zitationen · DOI

• Deterministic Coupling of a Single Nitrogen Vacancy Center to a Photonic Crystal Cavity

  2010

  Nano Letters · 357 Zitationen · DOI

  We describe and experimentally demonstrate a technique for deterministic, large coupling between a photonic crystal (PC) nanocavity and single photon emitters. The technique is based on in situ scanning of a PC cavity over a sample and allows the precise positioning of the cavity over a desired emitter with nanoscale resolution. The power of the technique is demonstrated by coupling the PC nanocavity to a single nitrogen vacancy (NV) center in diamond, an emitter system that provides optically accessible electron and nuclear spin qubits.

• Radiative recombination in type-II GaSb/GaAs quantum dots

  1995

  Applied Physics Letters · 324 Zitationen · DOI

  Strained GaSb quantum dots having a staggered band lineup (type II) are formed in a GaAs matrix using molecular beam epitaxy. The dots are growing in a self-organized way on a GaAs(100) surface upon deposition of 1.2 nm GaSb followed by a GaAs cap layer. Plan-view transmission electron microscopy studies reveal well developed rectangular-shaped GaSb islands with a lateral extension of ∼20 nm. Intense photoluminescence (PL) is observed at an energy lower than the GaSb wetting layer luminescence. This line is attributed to radiative recombination of 0D holes located in the GaSb dots and electrons located in the surrounding regions. The GaSb quantum dot PL dominates the spectrum up to high excitation densities and up to room temperature.

• Fundacio Institut de Ciencies Fotoniques

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• Universität Exeter

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• Universität Wien

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