Forschende
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RH
Dr. Hatami erforscht die monolithische Integration von III-V-Halbleitern (Galliumphosphid, Indiumphosphid, Galliumarsenid) auf Silizium-Nanotip-Substraten mittels Nanoheteroepitaxie und Molekularstrahlepitaxie.
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RS
Dr. Semtsiv entwickelt spezialisierte Halbleitermaterialien und Photodetektoren für die Terahertz-Spektroskopie und -Bildgebung.
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